Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Автор: К. И. Таперо
Дата написания: 2017
Издательство: Лаборатория знаний
ISBN: 978-5-00101-445-4
Цена: 275.00 Руб.
заказать | скачать | читать
В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
Гениальная мысль: Книга - памятник ушедшим в вечность умам.
Отличная шутка: Не суй свой взнос не в свое дело!
Как получить каталог
Посмотреть на сайте
Смотреть наш актуальный каталог можно прямо на сайте, но для заказа рекомендуем скачивать его в формате Excel и уточнять все детали по электронной почте...
Скачать в формате Excel
Нажмите, чтобы скачать: файл в формате Excel, размером 869888 байт, обновленная версия от 10 May 2021 23:01.
Получить по электронной почте
Запрос на каталог, заказы и любые вопросы присылайте в любое время по адресу dvdomdv@mail.ru.