МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Автор: Р. Х. Акчурин
Дата написания: 2018
Издательство: Техносфера
ISBN: 978-5-94836-521-3
Цена: 749.00 Руб.
заказать | скачать | читать
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ , затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Гениальная мысль: Я верю только мягким газетам. [Виталий Власенко ]
Отличная шутка: Буpатино закопал пять золотых монет. Папа Каpло, узнав об этом, закопал Буpатино.
Как получить каталог
Посмотреть на сайте
Смотреть наш актуальный каталог можно прямо на сайте, но для заказа рекомендуем скачивать его в формате Excel и уточнять все детали по электронной почте...
Скачать в формате Excel
Нажмите, чтобы скачать: файл в формате Excel, размером 869888 байт, обновленная версия от 10 May 2021 23:01.
Получить по электронной почте
Запрос на каталог, заказы и любые вопросы присылайте в любое время по адресу dvdomdv@mail.ru.