много монет - брату нумизмату

Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур

Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
Автор: Алексей Ковалев
Дата написания: 2011
Издательство: МИСиС
ISBN:
Цена: 1456.00 Руб.
заказать | скачать | читать

Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.

Гениальная мысль: ...Как пчела, припадая к разным цветам, собирает мед в соты, так и я по многим книгам собирал сладость слов и смысл их собрал, как в мех воды морские. (Даниил Заточник)

Отличная шутка: - Милый, у меня новая икряная диета! Буду есть только черную икру. - А может сразу деньги жрать начнешь?